DMG6601LVT-7

Fabrikant Productnummer:

DMG6601LVT-7

Product Overview

Fabrikant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

DMG6601LVT-7-DG

Beschrijving:

MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26

Gedetailleerde Beschrijving:

Mosfet Array 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26

Voorraad:

61614 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad

12903704

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

DMG6601LVT-7 Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, FET, MOSFET-arrays

Fabrikant

Diodes Incorporated

Verpakking

Tape & Reel (TR)

Reeks

-

Toestand van het product

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Configuratie

N and P-Channel

FET-functie

Logic Level Gate

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

30V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

3.8A, 2.5A

Rds aan (max) @ id, vgs

55mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

12.3nC @ 10V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

422pF @ 15V

Vermogen - Max

850mW

Werkende Temperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type montage

Surface Mount

Pakket / Doos

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Leverancier Device Pakket

TSOT-26

Basis productnummer

DMG6601

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Datasheets

HTML Gegevensblad

DMG6601LVT-7-DG

Aanvullende informatie

Standaard pakket

3,000

Andere namen

DMG6601LVT-7DICT

DMG6601LVT-7DITR

DMG6601LVT-7DIDKR

DMG6601LVT7

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Unaffected

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

diodes

ZDM4306NTC

MOSFET 2N-CH 60V 2A SM8

diodes

DMC3016LNS-13

MOSFET N/P-CH 30V 9A PWRDI3333

diodes

ZXMP3A17DN8TA

MOSFET 2P-CH 30V 4.4A 8SO

fairchild-semiconductor

NDS9947

MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 8SOIC