Fabrikant Productnummer:
DMG7N65SCT
Product Overview
Fabrikant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
DMG7N65SCT-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 7.7A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB (Type TH)
Voorraad:
12883977
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
DMG7N65SCT Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Diodes Incorporated
Verpakking
-
Reeks
Automotive, AEC-Q101
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
7.7A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
25.2 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
886 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
125W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220AB (Type TH)
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
DMG7N65
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH-status
REACH Affected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
IXFP7N80PM
Fabrikant
IXYS
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
0
DEELNUMMER
IXFP7N80PM-DG
EENHEIDSPRIJS
4.60
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
IXFP7N80P
Fabrikant
IXYS
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
299
DEELNUMMER
IXFP7N80P-DG
EENHEIDSPRIJS
2.31
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
DMN7022LFGQ-13
MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333
DMN4008LFG-13
MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333
DMN3071LFR4-7R
MOSFET N-CH 30V 3.4A 3DFN
