Fabrikant Productnummer:
DMG7N65SJ3
Product Overview
Fabrikant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
DMG7N65SJ3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 650V 5.5A TO251
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-251
Voorraad:
12884126
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
DMG7N65SJ3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Diodes Incorporated
Verpakking
-
Reeks
Automotive, AEC-Q101
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
886 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
125W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-251
Pakket / Doos
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis productnummer
DMG7N65
Aanvullende informatie
Standaard pakket
75
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH-status
REACH Affected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
DMPH6050SFGQ-7
MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
2N7002-7
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
DMT6013LSS-13
MOSFET N-CH 60V 10A 8SO
