Fabrikant Productnummer:
DMJ65H430SCTI
Product Overview
Fabrikant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
DMJ65H430SCTI-DG
Beschrijving:
MOSFET BVDSS: 501V~650V ITO-220A
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 14A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Through Hole ITO220AB-N (Type HE)
Voorraad:
12986538
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
DMJ65H430SCTI Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Diodes Incorporated
Verpakking
-
Reeks
-
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
430mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
24.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
775 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
ITO220AB-N (Type HE)
Pakket / Doos
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Basis productnummer
DMJ65
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Andere namen
31-DMJ65H430SCTI
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
DMP2016UFDF-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
SI4155DY-T1-GE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
DMN2055UW-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
