Fabrikant Productnummer:
DMJ70H1D3SH3
Product Overview
Fabrikant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
DMJ70H1D3SH3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 700 V 4.6A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251 (Type TH3)
Voorraad:
12949687
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
DMJ70H1D3SH3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Diodes Incorporated
Verpakking
-
Reeks
-
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
700 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
4.6A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
13.9 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
351 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
41W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-251 (Type TH3)
Pakket / Doos
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Basis productnummer
DMJ70
Aanvullende informatie
Standaard pakket
75
Andere namen
DMJ70H1D3SH3-DG
DMJ70H1D3SH3DI
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Affected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
IPS70R1K4P7SAKMA1
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
0
DEELNUMMER
IPS70R1K4P7SAKMA1-DG
EENHEIDSPRIJS
0.18
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
IPS80R600P7AKMA1
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
0
DEELNUMMER
IPS80R600P7AKMA1-DG
EENHEIDSPRIJS
0.69
SUBSTITUTIE TYPE
Direct
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
DMP2035UVTQ-13
MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
DMG3404L-13
MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
DMT6016LPSW-13
MOSFET N-CH 60V PWRDI5060