DMN2009UFDF-7

Fabrikant Productnummer:

DMN2009UFDF-7

Product Overview

Fabrikant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

DMN2009UFDF-7-DG

Beschrijving:

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6

Gedetailleerde Beschrijving:

N-Channel 20 V 12.8A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online

13002570

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

DMN2009UFDF-7 Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant

Diodes Incorporated

Verpakking

Bulk

Reeks

-

Toestand van het product

Active

Soort FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

20 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

12.8A (Ta)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)

2.5V, 4.5V

Rds aan (max) @ id, vgs

9mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

27.9 nC @ 10 V

Vgs (Max.)

±12V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

1083 pF @ 10 V

FET-functie

-

Vermogensdissipatie (max.)

1.3W (Ta)

Werkende Temperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type montage

Surface Mount

Leverancier Device Pakket

U-DFN2020-6 (Type F)

Pakket / Doos

6-UDFN Exposed Pad

Basis productnummer

DMN2009

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Datasheets

HTML Gegevensblad

DMN2009UFDF-7-DG

Aanvullende informatie

Standaard pakket

3,000

Andere namen

31-DMN2009UFDF-7

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status

ROHS3 Compliant

REACH-status

REACH Unaffected

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

goford-semiconductor

G75P04D5

MOSFET P-CH 40V 70A DFN5*6-8L

epc-space

EPC7019GC

GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB

rohm-semi

R6027YNXC7G

NCH 600V 14A, TO-220FM, POWER MO

IQE220N15NM5CGATMA1

TRENCH >=100V