Fabrikant Productnummer:
DMN6041SVTQ-7
Product Overview
Fabrikant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
DMN6041SVTQ-7-DG
Beschrijving:
MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 60 V 4.1A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount TSOT-26
Voorraad:
13269150
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
DMN6041SVTQ-7 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Diodes Incorporated
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
4.1A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
48mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1190 pF @ 30 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
900mW (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Graad
Automotive
Kwalificatie
AEC-Q101
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TSOT-26
Pakket / Doos
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
31-DMN6041SVTQ-7TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH-status
REACH Unaffected
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IRFB4228PBFXKMA1
TRENCH >=100V
IMDQ75R016M1HXUMA1
SILICON CARBIDE MOSFET
IRFP4332PBFXKMA1
TRENCH >=100V