Fabrikant Productnummer:

DMT6009LJ3

Product Overview

Fabrikant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

DMT6009LJ3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 60V 74.5A TO251

Gedetailleerde Beschrijving:

N-Channel 60 V 74.5A (Tc) 2.9W (Ta), 83.3W (Tc) Through Hole TO-251 (Type TH)

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online

12888550

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

DMT6009LJ3 Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant

Diodes Incorporated

Verpakking

-

Reeks

-

Toestand van het product

Obsolete

Soort FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

60 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

74.5A (Tc)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)

4.5V, 10V

Rds aan (max) @ id, vgs

10mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

33.5 nC @ 10 V

Vgs (Max.)

±16V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

1925 pF @ 30 V

FET-functie

-

Vermogensdissipatie (max.)

2.9W (Ta), 83.3W (Tc)

Werkende Temperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type montage

Through Hole

Leverancier Device Pakket

TO-251 (Type TH)

Pakket / Doos

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Basis productnummer

DMT6009

Aanvullende informatie

Standaard pakket

75

Andere namen

DMT6009LJ3DI

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Unaffected

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

diodes

DMG2305UX-7

MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23

diodes

DMT6006SPS-13

MOSFET N-CH 60V PWRDI5060

diodes

DMG2307L-7

MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

diodes

DMP26M7UFG-13

MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333