Fabrikant Productnummer:
DMT67M8LK3-13
Product Overview
Fabrikant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
DMT67M8LK3-13-DG
Beschrijving:
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 60 V 87A (Tc) 3.1W (Ta), 89.3W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Voorraad:
13000804
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
DMT67M8LK3-13 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Diodes Incorporated
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
87A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
37.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2130 pF @ 30 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.1W (Ta), 89.3W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-252 (DPAK)
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,500
Andere namen
31-DMT67M8LK3-13TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
NTTFS012N10MDTAG
PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8
DMN1008UFDFQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
TSM650P03CX
-30V, -4.1A, SINGLE P-CHANNEL PO
