DMT8008SCT
Fabrikant Productnummer:

DMT8008SCT

Product Overview

Fabrikant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

DMT8008SCT-DG

Beschrijving:

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 80 V 111A (Tc) 2.4W (Ta), 167W (Tc) Through Hole TO-220-3

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online
12979119
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

DMT8008SCT Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Diodes Incorporated
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
80 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
111A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
7.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1950 pF @ 40 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2.4W (Ta), 167W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220-3
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
DMT8008

Datasheet & Documenten

Technische fiches
DMT8008SCT

Aanvullende informatie

Standaard pakket
50
Andere namen
31-DMT8008SCT

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
diodes

DMT61M8SPS-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506

toshiba-semiconductor-and-storage

TK170V65Z,LQ

MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN

diodes

DMG3420UQ-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3

diodes

DMP26M1UPS-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI5060