DMTH48M3SFVW-7
Fabrikant Productnummer:

DMTH48M3SFVW-7

Product Overview

Fabrikant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

DMTH48M3SFVW-7-DG

Beschrijving:

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 40 V 14.6A (Ta), 52.4A (Tc) 2.82W (Ta), 36.6W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Voorraad:

13000450
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

DMTH48M3SFVW-7 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Diodes Incorporated
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
40 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
14.6A (Ta), 52.4A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
8.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
12.1 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
897 pF @ 20 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2.82W (Ta), 36.6W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount, Wettable Flank
Leverancier Device Pakket
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Pakket / Doos
8-PowerVDFN

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
2,000
Andere namen
31-DMTH48M3SFVW-7TR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
DMTH48M3SFVWQ-13
Fabrikant
Diodes Incorporated
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
0
DEELNUMMER
DMTH48M3SFVWQ-13-DG
EENHEIDSPRIJS
0.17
SUBSTITUTIE TYPE
Parametric Equivalent
DEELNUMMER
DMTH48M3SFVWQ-7
Fabrikant
Diodes Incorporated
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
0
DEELNUMMER
DMTH48M3SFVWQ-7-DG
EENHEIDSPRIJS
0.17
SUBSTITUTIE TYPE
Parametric Equivalent
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
diodes

DMP3045LVT-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R

goford-semiconductor

G06N10

N100V,RD(MAX)<240M@10V,VTH1.2V~3

taiwan-semiconductor

TSM5ND50CI

500V, 5A, SINGLE N-CHANNEL POWE

goford-semiconductor

G75P04K

P40V,RD(MAX)<10M@-10V,VTH-1.2V~-