Fabrikant Productnummer:
DMWS120H100SM4
Product Overview
Fabrikant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
DMWS120H100SM4-DG
Beschrijving:
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 1200 V 37.2A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-4
Voorraad:
2 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13001177
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
DMWS120H100SM4 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Diodes Incorporated
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
1200 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
37.2A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
15V
Rds aan (max) @ id, vgs
100mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 5mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 15 V
Vgs (Max.)
+19V, -8V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1516 pF @ 1000 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
208W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247-4
Pakket / Doos
TO-247-4
Basis productnummer
DMWS120
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
30
Andere namen
31-DMWS120H100SM4
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
Not Applicable
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
G110N06T
MOSFET N-CH 60V 110A TO-220
IST015N06NM5AUMA1
OPTIMOS 5 POWER MOSFET 60 V
IRFP4668PBFXKMA1
TRENCH >=100V PG-TO247-3
