ZTX857QSTZ
Fabrikant Productnummer:

ZTX857QSTZ

Product Overview

Fabrikant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

ZTX857QSTZ-DG

Beschrijving:

PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR EP3 AM
Gedetailleerde Beschrijving:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 3 A 80MHz 1.2 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)

Voorraad:

12979199
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

ZTX857QSTZ Technische specificaties

Categorie
Bipolaire (BJT), Enkele Bipolaire Transistors
Fabrikant
Diodes Incorporated
Verpakking
Tape & Box (TB)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Transistor Type
NPN
Stroom - collector (ic) (max)
3 A
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
300 V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
250mV @ 600mA, 3A
Stroom - Collector Cutoff (Max)
50nA
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 500mA, 10V
Vermogen - Max
1.2 W
Frequentie - Overgang
80MHz
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 200°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Pakket / Doos
E-Line-3, Formed Leads
Leverancier Device Pakket
E-Line (TO-92 compatible)

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
4,000
Andere namen
31-ZTX857QSTZTB

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
diodes

BC847BWQ-13-F

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT32

diodes

FMMT491AQTC

SS MID-PERF TRANSISTOR SOT23 T&R

diodes

FMMT625QTA

SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT23 T

onsemi

NSVT1602CLTWG

160V 1.5A NPN LOW SATURATION BJT