EPC2102
Fabrikant Productnummer:

EPC2102

Product Overview

Fabrikant:

EPC

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

EPC2102-DG

Beschrijving:

GANFET 2N-CH 60V 23A DIE
Gedetailleerde Beschrijving:
Mosfet Array 60V 23A Surface Mount Die

Voorraad:

125 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12801572
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

EPC2102 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, FET, MOSFET-arrays
Fabrikant
EPC
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
eGaN®
Toestand van het product
Active
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Configuratie
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
23A
Rds aan (max) @ id, vgs
4.4mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 7mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
6.8nC @ 5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
830pF @ 30V
Vermogen - Max
-
Werkende Temperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
Die
Leverancier Device Pakket
Die
Basis productnummer
EPC210

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
500
Andere namen
917-1182-6
917-1182-1
917-1182-2

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
texas-instruments

CSD86356Q5D

MOSFET 2N-CH 25V 40A 8VSON-CLIP

texas-instruments

CSD88539NDT

MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC

infineon-technologies

BSG0810NDIATMA1

MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A TISON8

infineon-technologies

IRFH7911TRPBF

MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN