Fabrikant Productnummer:
EPC2110ENGRT
Product Overview
Fabrikant:
EPC
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
EPC2110ENGRT-DG
Beschrijving:
GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Gedetailleerde Beschrijving:
Mosfet Array 120V 3.4A Surface Mount Die
Voorraad:
12795179
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
EPC2110ENGRT Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, FET, MOSFET-arrays
Fabrikant
EPC
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
eGaN®
Toestand van het product
Active
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Configuratie
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
120V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
3.4A
Rds aan (max) @ id, vgs
60mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 700µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
0.8nC @ 5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
80pF @ 60V
Vermogen - Max
-
Werkende Temperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
Die
Leverancier Device Pakket
Die
Basis productnummer
EPC211
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,500
Andere namen
917-EPC2110ENGRCT
917-EPC2110ENGRTR
EPC2110ENGR
917-EPC2110ENGRDKR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0040
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
EPC2106
GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
EPC2105ENGRT
GANFET 2N-CH 80V 9.5A DIE
EPC2108
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
