Fabrikant Productnummer:
BSO615CT
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
BSO615CT-DG
Beschrijving:
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8DSO
Gedetailleerde Beschrijving:
Mosfet Array 60V 3.1A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8
Voorraad:
12840966
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
BSO615CT Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, FET, MOSFET-arrays
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
-
Reeks
SIPMOS®
Toestand van het product
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuratie
N and P-Channel
FET-functie
Logic Level Gate
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
3.1A, 2A
Rds aan (max) @ id, vgs
110mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
22.5nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
380pF @ 25V
Vermogen - Max
2W
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverancier Device Pakket
PG-DSO-8
Basis productnummer
BSO615
Datasheet & Documenten
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,500
Andere namen
BSO615CXTINTR
BSO615CXTINDKR
BSO615CXTINCT
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
QJD1210SB1
SIC 1200V 10A MOD
NTHD2102PT1G
MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
QJD1210SA1
SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
