Fabrikant Productnummer:
IXFQ30N60X
Product Overview
Fabrikant:
IXYS
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IXFQ30N60X-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3P
Voorraad:
12913851
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IXFQ30N60X Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Littelfuse
Verpakking
-
Reeks
HiPerFET™, Ultra X
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
155mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2270 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
500W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-3P
Pakket / Doos
TO-3P-3, SC-65-3
Basis productnummer
IXFQ30
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
30
Andere namen
-IXFQ30N60X
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SI7114ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
SI4122DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
SI7409ADN-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 7A PPAK1212-8
