Fabrikant Productnummer:

IXTH2N150

Product Overview

Fabrikant:

IXYS

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IXTH2N150-DG

Beschrijving:

DISCMOSFET N-CH STD-HIVOLTAGE TO

Gedetailleerde Beschrijving:

N-Channel 1500 V 2A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online

12966526

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

IXTH2N150 Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant

Littelfuse

Verpakking

Tube

Reeks

-

Toestand van het product

Active

Soort FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

1500 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

2A (Tc)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)

10V

Rds aan (max) @ id, vgs

9.2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

28 nC @ 10 V

Vgs (Max.)

±30V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

830 pF @ 25 V

FET-functie

-

Vermogensdissipatie (max.)

170W (Tc)

Werkende Temperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type montage

Through Hole

Leverancier Device Pakket

TO-247 (IXTH)

Pakket / Doos

TO-247-3

Basis productnummer

IXTH2

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Datasheets

HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket

30

Andere namen

238-IXTH2N150

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Unaffected

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

diodes

DMTH8001STLWQ-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10

diodes

DMTH10H1M7STLWQ-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10

vishay-siliconix

SQM40016EM_GE3

MOSFET N-CH 40V 250A TO263-7

panjit

PJA3401_R1_00001

SOT-23, MOSFET