Fabrikant Productnummer:
IXTI10N60P
Product Overview
Fabrikant:
IXYS
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IXTI10N60P-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 600V 10A TO262
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Voorraad:
12821860
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IXTI10N60P Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Littelfuse
Verpakking
-
Reeks
PolarHV™
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
740mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1610 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
200W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-262 (I2PAK)
Pakket / Doos
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis productnummer
IXTI10
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
STB10N60M2
Fabrikant
STMicroelectronics
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
0
DEELNUMMER
STB10N60M2-DG
EENHEIDSPRIJS
0.75
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DEELNUMMER
STD7ANM60N
Fabrikant
STMicroelectronics
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
3584
DEELNUMMER
STD7ANM60N-DG
EENHEIDSPRIJS
0.58
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IXTA3N60P
MOSFET N-CH 600V 3A TO263
IXFT13N100
MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO268
IXFN40N90P
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227B
