Fabrikant Productnummer:

JAN2N7334

Product Overview

Fabrikant:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

JAN2N7334-DG

Beschrijving:

MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB

Gedetailleerde Beschrijving:

Mosfet Array 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online

12929658

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

JAN2N7334 Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, FET, MOSFET-arrays

Fabrikant

Microsemi

Verpakking

-

Reeks

-

Toestand van het product

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Configuratie

4 N-Channel

FET-functie

-

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

100V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

1A

Rds aan (max) @ id, vgs

700mOhm @ 600mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

-

Vermogen - Max

1.4W

Werkende Temperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Graad

Military

Kwalificatie

MIL-PRF-19500/597

Type montage

Through Hole

Pakket / Doos

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Leverancier Device Pakket

MO-036AB

Basis productnummer

2N733

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket

1

Andere namen

JAN2N7334-MIL

150-JAN2N7334

JAN2N7334-DG

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status

RoHS non-compliant

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Unaffected

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

rohm-semi

SP8M3FU7TB1

MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP

onsemi

NDS9957

MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

CAB425M12XM3

SIC 2N-CH 1200V 450A

SP8K3FD5TB1

MOSFET 2N-CH 30V 8SOP