Huis
Producten
fabrikanten
Over DiGi
Neem contact met ons op
Blogs en Berichten
Aanvraag/offerte
Netherlands
Aanmelden
Selectieve Taal
Huidige taal van uw keuze:
Netherlands
Schakel:
Engels
Europa
Verenigd Koninkrijk
DR Congo
Argentinië
Turkije
Roemenië
Litouwen
Noorwegen
Oostenrijk
Angola
Slowakije
Italië
Finland
Wit-Rusland
Bulgarije
Denemarken
Estland
Polen
Oekraïne
Slovenië
Tsjechisch
Grieks
Kroatië
Israël
Montenegro
Russisch
België
Zweden
Servië
Baskisch
IJsland
Bosnië
Hongaars
Moldavië
Duitsland
Nederland
Ierland
Azië / Stille Oceaan
China
Vietnam
Indonesië
Thailand
Laos
Filipijns
Maleisië
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabië
Qatar
Koeweit
Cambodja
Myanmar
Afrika, India en het Midden-Oosten
Verenigde Arabische Emiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
India
Iran
Frankrijk
Zuid-Afrika
Egypte
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesië
Zuid-Amerika / Oceanië
Nieuw-Zeeland
Portugal
Brazilië
Mozambique
Peru
Colombia
Chili
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spanje
Paraguay
Australië
Noord-Amerika
Verenigde Staten
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexico
Over DiGi
Over ons
Over ons
Onze Certificeringen
DiGi Introductie
Waarom DiGi
Beleid
Kwaliteitsbeleid
Gebruiksvoorwaarden
RoHS-naleving
Retourproces
Hulpbronnen
Productcategorieën
fabrikanten
Blogs en Berichten
Diensten
Kwaliteitsgarantie
Betaalmethode
Wereldwijde Verzending
Verzendtarieven
Veelgestelde vragen
Fabrikant Productnummer:
PEMD6,115
Product Overview
Fabrikant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
PEMD6,115-DG
Beschrijving:
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
Gedetailleerde Beschrijving:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
Voorraad:
4000 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12831971
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
*
Bedrijf
*
Contactnaam
*
Telefoon
*
E-mail
Leveringsadres
Bericht
(
*
) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
PEMD6,115 Technische specificaties
Categorie
Bipolaire (BJT), Bipolaire Transistorarrays, Voorgepolariseerd
Fabrikant
Nexperia
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Not For New Designs
Transistor Type
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Stroom - collector (ic) (max)
100mA
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
50V
Weerstand - Basis (R1)
4.7kOhms
Weerstand - Emitter Basis (R2)
-
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 1mA, 5V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
100mV @ 250µA, 5mA
Stroom - Collector Cutoff (Max)
1µA
Frequentie - Overgang
-
Vermogen - Max
300mW
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
SOT-563, SOT-666
Leverancier Device Pakket
SOT-666
Basis productnummer
PEMD6
Datasheet & Documenten
Technische fiches
PEMD6
Datasheets
PEMD6,115
HTML Gegevensblad
PEMD6,115-DG
Aanvullende informatie
Standaard pakket
4,000
Andere namen
1727-PEMD6,115DKR
PEMD6 T/R
PEMD6 T/R-DG
PEMD6,115-DG
1727-PEMD6,115TR
934056709115
2166-PEMD6,115-1727
1727-PEMD6,115CT
5202-PEMD6,115TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
RN4990FE,LF(CT
Fabrikant
Toshiba Semiconductor and Storage
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
0
DEELNUMMER
RN4990FE,LF(CT-DG
EENHEIDSPRIJS
0.02
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DEELNUMMER
NSBC143TPDXV6T1G
Fabrikant
onsemi
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
3926
DEELNUMMER
NSBC143TPDXV6T1G-DG
EENHEIDSPRIJS
0.05
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DEELNUMMER
EMH3T2R
Fabrikant
Rohm Semiconductor
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
528
DEELNUMMER
EMH3T2R-DG
EENHEIDSPRIJS
0.08
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DEELNUMMER
RN1910FE,LF(CT
Fabrikant
Toshiba Semiconductor and Storage
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
4750
DEELNUMMER
RN1910FE,LF(CT-DG
EENHEIDSPRIJS
0.02
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
PUMD12/DG/B3,115
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
PUMD3,125
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
PUMH13F
TRANS PREBIAS SOT363/SC88
PEMD48,115
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT666