Fabrikant Productnummer:
PHE13003A126
Product Overview
Fabrikant:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
PHE13003A126-DG
Beschrijving:
NOW WEEN - PHE13003A - POWER BIP
Gedetailleerde Beschrijving:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 1 A 2.1 W Through Hole TO-92-3
Voorraad:
12947564
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
PHE13003A126 Technische specificaties
Categorie
Bipolaire (BJT), Enkele Bipolaire Transistors
Fabrikant
NXP Semiconductors
Verpakking
-
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Transistor Type
NPN
Stroom - collector (ic) (max)
1 A
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
400 V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
1.5V @ 250mA, 750mA
Stroom - Collector Cutoff (Max)
1mA
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
10 @ 400mA, 5V
Vermogen - Max
2.1 W
Frequentie - Overgang
-
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Pakket / Doos
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Leverancier Device Pakket
TO-92-3
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
4,609
Andere namen
WENNXPPHE13003A126
2156-PHE13003A126
Milieu- en Exportclassificatie
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
ABC856BW-HF
TRANS PNP 65V 0.1A SOT323
PMSTA55,115
NOW NEXPERIA PMSTA55 - SMALL SIG
NZT45H8
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 8A, 60
