Fabrikant Productnummer:
2SB1216T-E
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
2SB1216T-E-DG
Beschrijving:
TRANS PNP 100V 4A TP
Gedetailleerde Beschrijving:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 130MHz 1 W Through Hole TP
Voorraad:
12837039
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
2SB1216T-E Technische specificaties
Categorie
Bipolaire (BJT), Enkele Bipolaire Transistors
Fabrikant
onsemi
Verpakking
-
Reeks
-
Toestand van het product
Obsolete
Transistor Type
PNP
Stroom - collector (ic) (max)
4 A
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
100 V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
500mV @ 200mA, 2A
Stroom - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 500mA, 5V
Vermogen - Max
1 W
Frequentie - Overgang
130MHz
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Pakket / Doos
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverancier Device Pakket
TP
Basis productnummer
2SB1216
Datasheet & Documenten
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
500
Andere namen
ONSONS2SB1216T-E
2156-2SB1216T-E-ON
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
2SB1216S-TL-E
Fabrikant
onsemi
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
1071
DEELNUMMER
2SB1216S-TL-E-DG
EENHEIDSPRIJS
0.27
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
