Fabrikant Productnummer:
2SC3956E
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
2SC3956E-DG
Beschrijving:
NPN SILICON TRANSISTOR
Gedetailleerde Beschrijving:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 200 V 200 mA 300MHz 1.3 W Through Hole TO-126ML
Voorraad:
8000 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12931598
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
2SC3956E Technische specificaties
Categorie
Bipolaire (BJT), Enkele Bipolaire Transistors
Fabrikant
onsemi
Verpakking
Bulk
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Transistor Type
NPN
Stroom - collector (ic) (max)
200 mA
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
200 V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
1V @ 3mA, 30mA
Stroom - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 10mA, 10V
Vermogen - Max
1.3 W
Frequentie - Overgang
300MHz
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Graad
-
Kwalificatie
-
Type montage
Through Hole
Pakket / Doos
TO-225AA, TO-126-3
Leverancier Device Pakket
TO-126ML
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1,158
Andere namen
ONSONS2SC3956E
2156-2SC3956E
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
Not applicable
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
Vendor Undefined
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
2SA1338-5-TB-E
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
BC817K-25WH6327
BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
2SC5476
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN