Fabrikant Productnummer:
2SD863E-AE
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
2SD863E-AE-DG
Beschrijving:
BIP NPN 1A 50V
Gedetailleerde Beschrijving:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 1 A 150MHz 900 mW Through Hole 3-MP
Voorraad:
9000 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12936535
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
2SD863E-AE Technische specificaties
Categorie
Bipolaire (BJT), Enkele Bipolaire Transistors
Fabrikant
onsemi
Verpakking
Bulk
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Transistor Type
NPN
Stroom - collector (ic) (max)
1 A
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
50 V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
500mV @ 50mA, 500mA
Stroom - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 50mA, 2V
Vermogen - Max
900 mW
Frequentie - Overgang
150MHz
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Graad
-
Kwalificatie
-
Type montage
Through Hole
Pakket / Doos
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Leverancier Device Pakket
3-MP
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,219
Andere namen
ONSONS2SD863E-AE
2156-2SD863E-AE
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
Not applicable
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
Vendor Undefined
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
TH00483
SS TO39 GP PNP XSTR
2SD2176-TD-E
NPN 1.2A 50V DARLINGTON
2SD2198S-DL-E
BIP NPN 5A 50V
