2SJ656

Fabrikant Productnummer:

2SJ656

Product Overview

Fabrikant:

onsemi

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

2SJ656-DG

Beschrijving:

MOSFET P-CH 100V 18A TO220ML

Gedetailleerde Beschrijving:

P-Channel 100 V 18A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) Through Hole TO-220ML

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online

12836930

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

2SJ656 Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant

onsemi

Verpakking

-

Reeks

-

Toestand van het product

Obsolete

Soort FET

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

100 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

18A (Ta)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)

4V, 10V

Rds aan (max) @ id, vgs

75.5mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

74 nC @ 10 V

Vgs (Max.)

±20V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

4200 pF @ 20 V

FET-functie

-

Vermogensdissipatie (max.)

2W (Ta), 30W (Tc)

Werkende Temperatuur

150°C (TJ)

Type montage

Through Hole

Leverancier Device Pakket

TO-220ML

Pakket / Doos

TO-220-3 Full Pack

Basis productnummer

2SJ656

Datasheet & Documenten

Datasheets

HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket

100

Andere namen

869-1053

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Unaffected

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER

IXTP18P10T

Fabrikant

IXYS

BESCHIKBARE HOEVEELHEID

2485

DEELNUMMER

IXTP18P10T-DG

EENHEIDSPRIJS

1.06

SUBSTITUTIE TYPE

Similar

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

onsemi

FDMS86104

MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN

onsemi

2V7002KT1G

MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23

onsemi

HUF75309P3

MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3

onsemi

FCPF099N65S3

MOSFET N-CH 650V 30A TO220F