Fabrikant Productnummer:
2SK4125-1E
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
2SK4125-1E-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 600V 17A TO3P-3L
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 17A (Ta) 2.5W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-3P-3L
Voorraad:
12833268
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
2SK4125-1E Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
-
Reeks
-
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
17A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
610mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 30 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2.5W (Ta), 170W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-3P-3L
Pakket / Doos
TO-3P-3, SC-65-3
Basis productnummer
2SK4125
Aanvullende informatie
Standaard pakket
30
Andere namen
ONSONS2SK4125-1E
2156-2SK4125-1E
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
2SK3820-DL-1E
MOSFET N-CH 100V 26A TO263-2
2N7002LT7H
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
2SK3820-DL-E
MOSFET N-CH 100V 26A SMP-FD
