2SK4209
Fabrikant Productnummer:

2SK4209

Product Overview

Fabrikant:

onsemi

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

2SK4209-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 800V 12A TO3PB
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 800 V 12A (Ta) 2.5W (Ta), 190W (Tc) Through Hole TO-3PB

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online
12832685
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

2SK4209 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
-
Reeks
-
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.08Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 30 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2.5W (Ta), 190W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-3PB
Pakket / Doos
TO-3P-3, SC-65-3
Basis productnummer
2SK4209

Datasheet & Documenten

Datasheets
2SK4209
HTML Gegevensblad
2SK4209-DG

Aanvullende informatie

Standaard pakket
100

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
FQA13N80-F109
Fabrikant
onsemi
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
76
DEELNUMMER
FQA13N80-F109-DG
EENHEIDSPRIJS
2.65
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
onsemi

2SK3704

MOSFET N-CH 60V 45A TO220ML

nexperia

BUK7Y3R0-40HX

MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56

nexperia

PSMN2R5-30YL,115

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

nexperia

BUK9509-40B,127

MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB