Fabrikant Productnummer:
2SK4210
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
2SK4210-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 900V 10A TO3PB
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 900 V 10A (Ta) 2.5W (Ta), 190W (Tc) Through Hole TO-3PB
Voorraad:
12836327
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
2SK4210 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
-
Reeks
-
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
900 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.3Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 30 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2.5W (Ta), 190W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-3PB
Pakket / Doos
TO-3P-3, SC-65-3
Basis productnummer
2SK4210
Datasheet & Documenten
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
100
Andere namen
ONSSNY2SK4210
2156-2SK4210-ON
ONSONS2SK4210
2156-2SK4210
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
TK9J90E,S1E
Fabrikant
Toshiba Semiconductor and Storage
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
0
DEELNUMMER
TK9J90E,S1E-DG
EENHEIDSPRIJS
1.07
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
FDB38N30U
MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
FCA20N60F
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
FDI2532
MOSFET N-CH 150V 8A/79A I2PAK
