Fabrikant Productnummer:
EFC6602R-TR
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
EFC6602R-TR-DG
Beschrijving:
MOSFET 2N-CH EFCP2718
Gedetailleerde Beschrijving:
Mosfet Array 2W Surface Mount EFCP2718-6CE-020
Voorraad:
12839603
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
EFC6602R-TR Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, FET, MOSFET-arrays
Fabrikant
onsemi
Verpakking
-
Reeks
-
Toestand van het product
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuratie
2 N-Channel (Dual)
FET-functie
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
-
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
-
Rds aan (max) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 4.5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
-
Vermogen - Max
2W
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
6-XFBGA, FCBGA
Leverancier Device Pakket
EFCP2718-6CE-020
Basis productnummer
EFC6602
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
5,000
Andere namen
EFC6602R-TROSDKR
EFC6602R-TR-DG
2156-EFC6602R-TR
EFC6602R-TROSCT
ONSONSEFC6602R-TR
EFC6602R-TROSTR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
FDS9933BZ
MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC
FDS4559
MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
ECH8651R-R-TL-HX
MOSFET
