FCI25N60N-F102
Fabrikant Productnummer:

FCI25N60N-F102

Product Overview

Fabrikant:

onsemi

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

FCI25N60N-F102-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 216W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Voorraad:

12839001
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

FCI25N60N-F102 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
-
Reeks
SupreMOS™
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
125mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
3352 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
216W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-262 (I2PAK)
Pakket / Doos
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis productnummer
FCI25N60

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
1,000
Andere namen
FCI25N60N_F102-DG
FCI25N60N_F102

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
Not Applicable
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
IPI60R099CPXKSA1
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
500
DEELNUMMER
IPI60R099CPXKSA1-DG
EENHEIDSPRIJS
3.99
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
onsemi

FDC8884

MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6

onsemi

FDP150N10A-F102

MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3

onsemi

HUF76629D3ST

MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA

onsemi

FQAF11N40

MOSFET N-CH 400V 8.8A TO3PF