Fabrikant Productnummer:
FCP650N80Z
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
FCP650N80Z-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 800V 10A TO220
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 800 V 10A (Tc) 162W (Tc) Through Hole TO-220
Voorraad:
12847028
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
FCP650N80Z Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
-
Reeks
SuperFET® II
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
650mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 800µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1565 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
162W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
FCP650
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Andere namen
2156-FCP650N80Z
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
Not Applicable
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
FCP400N80Z
Fabrikant
onsemi
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
850
DEELNUMMER
FCP400N80Z-DG
EENHEIDSPRIJS
1.50
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
IXTP10N60P
Fabrikant
IXYS
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
0
DEELNUMMER
IXTP10N60P-DG
EENHEIDSPRIJS
2.26
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
FCPF190N65S3L1
MOSFET N-CH 650V 14A TO220F-3
FQT1N80TF-WS
MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
HUFA76419S3S
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
