Huis
Producten
fabrikanten
Over DiGi
Neem contact met ons op
Blogs en Berichten
Aanvraag/offerte
Netherlands
Aanmelden
Selectieve Taal
Huidige taal van uw keuze:
Netherlands
Schakel:
Engels
Europa
Verenigd Koninkrijk
Frankrijk
Spanje
Turkije
Moldavië
Litouwen
Noorwegen
Duitsland
Portugal
Slowakije
Italië
Finland
Russisch
Bulgarije
Denemarken
Estland
Polen
Oekraïne
Slovenië
Tsjechisch
Grieks
Kroatië
Israël
Servië
Wit-Rusland
Nederland
Zweden
Montenegro
Baskisch
IJsland
Bosnië
Hongaars
Roemenië
Oostenrijk
België
Ierland
Azië / Stille Oceaan
China
Vietnam
Indonesië
Thailand
Laos
Filipijns
Maleisië
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabië
Qatar
Koeweit
Cambodja
Myanmar
Afrika, India en het Midden-Oosten
Verenigde Arabische Emiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
India
Iran
DR Congo
Zuid-Afrika
Egypte
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesië
Zuid-Amerika / Oceanië
Nieuw-Zeeland
Angola
Brazilië
Mozambique
Peru
Colombia
Chili
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentinië
Paraguay
Australië
Noord-Amerika
Verenigde Staten
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexico
Over DiGi
Over ons
Over ons
Onze Certificeringen
DiGi Introductie
Waarom DiGi
Beleid
Kwaliteitsbeleid
Gebruiksvoorwaarden
RoHS-naleving
Retourproces
Hulpbronnen
Productcategorieën
fabrikanten
Blogs en Berichten
Diensten
Kwaliteitsgarantie
Betaalmethode
Wereldwijde Verzending
Verzendtarieven
Veelgestelde vragen
Fabrikant Productnummer:
FDB047N10
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
FDB047N10-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Voorraad:
Offerte Aanvragen Online
12838928
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
*
Bedrijf
*
Contactnaam
*
Telefoon
*
E-mail
Leveringsadres
Bericht
(
*
) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
FDB047N10 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
PowerTrench®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
4.7mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
15265 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
375W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-263 (D2PAK)
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
FDB047
Datasheet & Documenten
Technische fiches
FDB047N10 Datasheet
Aanvullende informatie
Standaard pakket
800
Andere namen
FDB047N10DKR
FDB047N10TR
2156-FDB047N10-OS
FDB047N10CT
FAIFSCFDB047N10
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
PHB27NQ10T,118
Fabrikant
Nexperia USA Inc.
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
7068
DEELNUMMER
PHB27NQ10T,118-DG
EENHEIDSPRIJS
0.55
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DEELNUMMER
PSMN3R8-100BS,118
Fabrikant
Nexperia USA Inc.
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
16656
DEELNUMMER
PSMN3R8-100BS,118-DG
EENHEIDSPRIJS
1.54
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DEELNUMMER
PSMN015-100B,118
Fabrikant
Nexperia USA Inc.
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
2021
DEELNUMMER
PSMN015-100B,118-DG
EENHEIDSPRIJS
0.81
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DEELNUMMER
IRF3808STRLPBF
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
3022
DEELNUMMER
IRF3808STRLPBF-DG
EENHEIDSPRIJS
1.30
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DEELNUMMER
IRF100S201
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
2305
DEELNUMMER
IRF100S201-DG
EENHEIDSPRIJS
1.63
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
FQPF7N80C
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220F
FDZ375P
MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP
FQB9N50CTM
MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
FQP19N10L
MOSFET N-CH 100V 19A TO220-3