FDB6021P
Fabrikant Productnummer:

FDB6021P

Product Overview

Fabrikant:

onsemi

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

FDB6021P-DG

Beschrijving:

MOSFET P-CH 20V 28A TO263AB
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 20 V 28A (Ta) 37W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Voorraad:

12932222
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

FDB6021P Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
-
Reeks
PowerTrench®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
20 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
28A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
1.8V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
30mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±8V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1890 pF @ 10 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
37W (Tc)
Werkende Temperatuur
-65°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-263 (D2PAK)
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
FDB602

Datasheet & Documenten

Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
800

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
renesas-electronics-america

2SK3326(9)AZ

DISCRETE / POWER MOSFET

harris-corporation

IRFU221

N-CHANNEL POWER MOSFET

renesas-electronics-america

2SK2114-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

IRFS254BFP001

N-CHANNEL POWER MOSFET