Fabrikant Productnummer:
FDB86102LZ
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
FDB86102LZ-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 8.3A (Ta), 30A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Voorraad:
800 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12836983
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
FDB86102LZ Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
PowerTrench®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
8.3A (Ta), 30A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
24mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1275 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.1W (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-263 (D2PAK)
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
FDB86102
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
800
Andere namen
FDB86102LZTR
FDB86102LZDKR
2156-FDB86102LZ-OS
FDB86102LZCT
ONSFSCFDB86102LZ
FDB86102LZ-DG
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
2SJ661-DL-E
MOSFET P-CH 60V 38A SMP-FD
FDZ193P
MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
HUFA75639S3ST
MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
