Fabrikant Productnummer:

FDC2612

Product Overview

Fabrikant:

onsemi

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

FDC2612-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6

Gedetailleerde Beschrijving:

N-Channel 200 V 1.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online

12838173

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

FDC2612 Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant

onsemi

Verpakking

Tape & Reel (TR)

Reeks

PowerTrench®

Toestand van het product

Active

Soort FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

200 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

1.1A (Ta)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)

10V

Rds aan (max) @ id, vgs

725mOhm @ 1.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

11 nC @ 10 V

Vgs (Max.)

±20V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

234 pF @ 100 V

FET-functie

-

Vermogensdissipatie (max.)

1.6W (Ta)

Werkende Temperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type montage

Surface Mount

Leverancier Device Pakket

SuperSOT™-6

Pakket / Doos

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Basis productnummer

FDC2612

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Datasheets

HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket

3,000

Andere namen

FDC2612-DG

FDC2612CT

FDC2612TR

FDC2612DKR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Unaffected

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

62-0136PBF

MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC

onsemi

FQI13N06LTU

MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK

onsemi

FDP039N08B-F102

MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3

onsemi

ECH8419-TL-H

MOSFET N-CH 35V 9A 8ECH