FDD6778A
Fabrikant Productnummer:

FDD6778A

Product Overview

Fabrikant:

onsemi

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

FDD6778A-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 25V 12A/10A DPAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 25 V 12A (Ta), 10A (Tc) 3.7W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Voorraad:

12839169
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

FDD6778A Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
-
Reeks
PowerTrench®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
25 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
12A (Ta), 10A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
14mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
870 pF @ 13 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.7W (Ta), 24W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-252AA
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis productnummer
FDD677

Aanvullende informatie

Standaard pakket
2,500
Andere namen
FDD6778ACT
FDD6778ATR
FDD6778ADKR

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
IPD135N03LGATMA1
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
31780
DEELNUMMER
IPD135N03LGATMA1-DG
EENHEIDSPRIJS
0.26
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
onsemi

FQD5N60CTM-WS

MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK

onsemi

FDS4072N7

MOSFET N-CH 40V 12.4A 8SO

onsemi

HUFA76443S3ST

MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

onsemi

FCD2250N80Z

MOSFET N-CH 800V 2.6A DPAK