FDD86102LZ
Fabrikant Productnummer:

FDD86102LZ

Product Overview

Fabrikant:

onsemi

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

FDD86102LZ-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 8A (Ta), 35A (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Voorraad:

20852 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12838862
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

FDD86102LZ Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
PowerTrench®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
8A (Ta), 35A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
22.5mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1540 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.1W (Ta), 54W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-252AA
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis productnummer
FDD86102

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
2,500
Andere namen
FDD86102LZ-DG
ONSONSFDD86102LZ
2156-FDD86102LZ-OS
FDD86102LZFSDKR
FDD86102LZFSCT
FDD86102LZFSTR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
infineon-technologies

94-2989

MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK

onsemi

FQPF5N90

MOSFET N-CH 900V 3A TO220F

onsemi

FCPF190N65S3R0L

MOSFET N-CH 650V 17A TO220F-3

onsemi

FQD4N50TF

MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK