Fabrikant Productnummer:
FDD8778
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
FDD8778-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 25 V 35A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Voorraad:
12847328
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
FDD8778 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
-
Reeks
PowerTrench®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
25 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
14mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
845 pF @ 13 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
39W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-252AA
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis productnummer
FDD877
Datasheet & Documenten
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,500
Andere namen
FDD8778CT
FDD8778TR
FDD8778DKR
2156-FDD8778-OS
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
IPD135N03LGATMA1
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
31780
DEELNUMMER
IPD135N03LGATMA1-DG
EENHEIDSPRIJS
0.26
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
BSD314SPEL6327HTSA1
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6
AOD4128
MOSFET N-CH 25V 60A TO252
FQD10N20LTM
MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252
