FDMC5614P-B8
Fabrikant Productnummer:

FDMC5614P-B8

Product Overview

Fabrikant:

onsemi

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

FDMC5614P-B8-DG

Beschrijving:

FET -60V 100.0 MOHM MLP33
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 60 V 5.7A (Ta), 13.5A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)

Voorraad:

12974607
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

FDMC5614P-B8 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
-
Reeks
PowerTrench®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
100mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1055 pF @ 30 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
8-WDFN (3.3x3.3)
Pakket / Doos
8-PowerWDFN

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
488-FDMC5614P-B8TR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
onsemi

NVMFWS2D3P04M8LT1G

MV8 P INITIAL PROGRAM

panjit

PJMD990N65EC_L2_00001

650V SUPER JUNCITON MOSFET

panjit

PJQ4465AP_R2_00001

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

inventchip-technology

IV1Q12160T4

SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24