FDP2D9N12C

Fabrikant Productnummer:

FDP2D9N12C

Product Overview

Fabrikant:

onsemi

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

FDP2D9N12C-DG

Beschrijving:

PTNG 120V N-FET TO220

Gedetailleerde Beschrijving:

N-Channel 120 V 18A (Ta), 210A (Tc) 2.4W (Ta), 333W (Tc) Through Hole TO-220

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online

12839564

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

FDP2D9N12C Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant

onsemi

Verpakking

-

Reeks

PowerTrench®

Toestand van het product

Obsolete

Soort FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

120 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

18A (Ta), 210A (Tc)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)

6V, 10V

Rds aan (max) @ id, vgs

2.9mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 686µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

109 nC @ 10 V

Vgs (Max.)

±20V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

8894 pF @ 60 V

FET-functie

-

Vermogensdissipatie (max.)

2.4W (Ta), 333W (Tc)

Werkende Temperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type montage

Through Hole

Leverancier Device Pakket

TO-220

Pakket / Doos

TO-220-3

Basis productnummer

FDP2

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Datasheets

HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket

800

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)

Not Applicable

REACH-status

REACH Unaffected

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

onsemi

FQP22N30

MOSFET N-CH 300V 21A TO220-3

onsemi

FDMS0310AS

MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN

onsemi

FDD5N50UTF_WS

MOSFET N-CH 500V 3A DPAK

infineon-technologies

BSP324 E6327

MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4