FDS6673BZ-G
Fabrikant Productnummer:

FDS6673BZ-G

Product Overview

Fabrikant:

onsemi

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

FDS6673BZ-G-DG

Beschrijving:

-30V P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFE
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 30 V 14.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Voorraad:

126525 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12997998
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

FDS6673BZ-G Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
PowerTrench®
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
14.5A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
±25V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
4700 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
1W (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
8-SOIC
Pakket / Doos
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Aanvullende informatie

Standaard pakket
758
Andere namen
2832-FDS6673BZ-GTR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH info available upon request
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
good-ark-semiconductor

GSFN0982

MOSFET, N-CH, SINGLE, 48A, 100V,

rohm-semi

RJ1L12CGNTLL

NCH 60V 120A POWER MOSFET: RJ1L1

comchip-technology

CMS09N10D-HF

MOSFET N-CH 100V 9.6A DPAK

rohm-semi

SCT4013DRC15

750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR