Fabrikant Productnummer:
FDS8878
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
FDS8878-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 30 V 10.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Voorraad:
3799 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12836289
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
FDS8878 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
PowerTrench®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
10.2A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
14mOhm @ 10.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
897 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2.5W (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
8-SOIC
Pakket / Doos
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis productnummer
FDS88
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,500
Andere namen
FDS8878DKR
FDS8878-DG
FDS8878TR
FDS8878CT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
FQB8N60CFTM
MOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK
FDC8886
MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6
HUF76639P3
MOSFET N-CH 100V 51A TO220-3
