Fabrikant Productnummer:
FDZ3N513ZT
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
FDZ3N513ZT-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 30V 1.1A 4WLCSP
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 30 V 1.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-WLCSP (0.96x0.96)
Voorraad:
12838288
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
FDZ3N513ZT Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
-
Reeks
-
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
3.2V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
462mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
+5.5V, -0.3V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
85 pF @ 15 V
FET-functie
Schottky Diode (Body)
Vermogensdissipatie (max.)
1W (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 125°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
4-WLCSP (0.96x0.96)
Pakket / Doos
4-UFBGA, WLCSP
Basis productnummer
FDZ3N
Datasheet & Documenten
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
FDZ3N513ZTCT
FDZ3N513ZTDKR
FDZ3N513ZTTR
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
SI8808DB-T2-E1
Fabrikant
Vishay Siliconix
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
8727
DEELNUMMER
SI8808DB-T2-E1-DG
EENHEIDSPRIJS
0.11
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
FDP023N08B-F102
MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
HUFA75343P3
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
FQD4P40TF
MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
