Fabrikant Productnummer:
FQA10N80_F109
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
FQA10N80_F109-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 800 V 9.8A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3P
Voorraad:
12836357
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
FQA10N80_F109 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
-
Reeks
QFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
9.8A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.05Ohm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2700 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
240W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-3P
Pakket / Doos
TO-3P-3, SC-65-3
Basis productnummer
FQA1
Datasheet & Documenten
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
450
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
FQI7N60TU
MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK
5HN01C-TB-EX
MOSFET N-CH 50V 100MA CP3
FDB120N10
MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK