Fabrikant Productnummer:
FQA33N10
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
FQA33N10-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 100V 36A TO3P
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 36A (Tc) 163W (Tc) Through Hole TO-3P
Voorraad:
12847159
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
FQA33N10 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
-
Reeks
QFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
52mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
163W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-3P
Pakket / Doos
TO-3P-3, SC-65-3
Basis productnummer
FQA3
Datasheet & Documenten
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
450
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
2SK1317-E
Fabrikant
Renesas Electronics Corporation
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
5608
DEELNUMMER
2SK1317-E-DG
EENHEIDSPRIJS
3.29
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
FDMC86240
MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8MLP
FDP047N08
MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3
FDMC2610
MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
