FQA85N06
Fabrikant Productnummer:

FQA85N06

Product Overview

Fabrikant:

onsemi

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

FQA85N06-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 60V 100A TO3P
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-3P

Voorraad:

12836597
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

FQA85N06 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
-
Reeks
QFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
10mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
112 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
4120 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
214W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-3P
Pakket / Doos
TO-3P-3, SC-65-3
Basis productnummer
FQA8

Aanvullende informatie

Standaard pakket
450

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
IRFP3306PBF
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
970
DEELNUMMER
IRFP3306PBF-DG
EENHEIDSPRIJS
1.37
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DEELNUMMER
IRFP3206PBF
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
12712
DEELNUMMER
IRFP3206PBF-DG
EENHEIDSPRIJS
1.53
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
infineon-technologies

AUIRF3710Z

MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB

infineon-technologies

AUIRF3415

MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB

onsemi

FDS7760A

MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC

onsemi

FQB8P10TM

MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK