Fabrikant Productnummer:
FQA9N90C-F109
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
FQA9N90C-F109-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 900 V 9A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-3P
Voorraad:
12847489
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
FQA9N90C-F109 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
-
Reeks
QFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
900 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2730 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
280W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-3P
Pakket / Doos
TO-3P-3, SC-65-3
Basis productnummer
FQA9
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
30
Andere namen
2832-FQA9N90C-F109
2156-FQA9N90C-F109-OS
FQA9N90C_F109-DG
ONSONSFQA9N90C-F109
FQA9N90C_F109
FQA9N90CF109
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
Not Applicable
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
NTD4856N-1G
MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK
FCP7N60
MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3
HUF75307D3
MOSFET N-CH 55V 15A IPAK