Fabrikant Productnummer:
FQAF11N90
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
FQAF11N90-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 900V 7.2A TO3PF
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 900 V 7.2A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
Voorraad:
12921426
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
FQAF11N90 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
-
Reeks
QFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
900 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
7.2A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
960mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
3500 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
120W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-3PF
Pakket / Doos
TO-3P-3 Full Pack
Basis productnummer
FQAF1
Datasheet & Documenten
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
360
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SIR168DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
DI9952T
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
SIHA18N60E-E3
MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
