Fabrikant Productnummer:
FQAF8N80
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
FQAF8N80-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 800V 5.9A TO3PF
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 800 V 5.9A (Tc) 107W (Tc) Through Hole TO-3PF
Voorraad:
12850481
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
FQAF8N80 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
-
Reeks
QFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
5.9A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.2Ohm @ 2.95A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2350 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
107W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-3PF
Pakket / Doos
TO-3P-3 Full Pack
Basis productnummer
FQAF8
Datasheet & Documenten
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
360
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
IRFPE50PBF
Fabrikant
Vishay Siliconix
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
353
DEELNUMMER
IRFPE50PBF-DG
EENHEIDSPRIJS
2.07
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
FQP8N90C
MOSFET N-CH 900V 6.3A TO220-3
AO5404EL
MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
FDFME3N311ZT
MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
